使用沟道自对准矽化物布线层之方法及所产生的装置

摘要

露的是使用分段式沟道自对准矽化物层(segmented trench salicide layer)而能选择性连接鳍结构(fin structure)的方法以及所产生之装置(resulting device)。具体实施例包括：在基底上提供至少一个闸极结构；提供依垂直方向与至少一个闸极结构相交的第一与第二鳍结构；以及提供自对准矽化物层之第一区段(segment)，第一区段系沿着水平方向形成并且系与第二鳍结构连接以及与第一鳍结构分开。

主权项

一种制造半导体装置的方法，系包含：在基底上提供至少一个闸极结构；提供朝垂直方向与该至少一个闸极结构相交的第一与第二鳍结构；以及提供自对准矽化物层之第一区段，该第一区段系沿着水平方向形成以及系与该第二鳍结构连接并且与该第一鳍结构分开，其中，该第二鳍结构系基于与该自对准矽化物层连接而含括在网表内，以及该第一鳍结构系基于与该自对准矽化物层分开而排除在该网表外。