以氨与三氟化氮蚀刻氧化物

摘要

明大致上提供选择性去除半导体基材上之多种氧化物的设备和方法。本发明的一实施例提供一种使用蚀刻气体混合物以所欲之去除速率来选择性去除基材上之氧化物的方法。蚀刻气体混合物包括第一气体和第二气体，且第一气体和第二气体的比值系由所欲之去除速率确定之。

主权项

一种选择性去除一基材上之氧化物的方法，包括：将一基材置于一真空腔室中，该基材具有一结构形成于该基材上，且该结构包括氧化物；冷却该基材至一第一温度；在该真空腔室中引燃一蚀刻气体混合物之一电浆以产生一活性物种，该活性物种流动至该基材上，以在该结构上形成一薄膜，其中该蚀刻气体混合物包括一第一气体与一第二气体；加热该基材至一第二温度以昇华形成于该结构上的该薄膜，该第二温度大于该第一温度。