发明名称 |
双孔隙结构研磨垫 |
摘要 |
明提供一种研磨垫,其系有用于研磨磁性、光学及半导体基板之至少一者。多孔研磨层系包括于聚胺甲酸乙酯基质中之双孔隙结构。该双孔隙结构系具有第一套孔,该第一套孔具有孔壁,该孔壁具有15至55μm之厚度,以及于25℃量得之10至60 MPa的储存模数。此外,孔壁系含有平均孔尺寸为5至30μm的第二套孔。该多孔研磨层系固定至聚合物膜或片材基板或形成于织造或非织造结构中以形成研磨垫。 |
申请公布号 |
TWI519385 |
申请公布日期 |
2016.02.01 |
申请号 |
TW099132302 |
申请日期 |
2010.09.24 |
申请人 |
罗门哈斯电子材料CMP控股公司 |
发明人 |
詹姆斯 大卫B;山佛凯 海瑞 |
分类号 |
B24B37/24(2012.01);C08G18/42(2006.01) |
主分类号 |
B24B37/24(2012.01) |
代理机构 |
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代理人 |
洪武雄;陈昭诚 |
主权项 |
一种研磨垫,系有用于研磨磁性、光学及半导体基板之至少一者,该研磨垫包含多孔研磨层,该多孔研磨层具有于聚胺甲酸乙酯基质中的双孔隙结构,该双孔隙结构具有第一套孔,该第一套孔具有孔壁,该孔壁具有15至55μm之厚度,于25℃量得之10至60MPa的储存模数,以及含有位于该孔壁内之第二套孔,该第二套孔具有5至30μm的平均孔尺寸,且其中,该多孔研磨层系固定至聚合物膜或片材基板或形成于织造或非织造结构中以形成研磨垫。
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地址 |
美国 |