摘要 |
본 발명은 허머스(Hummers) 방법을 개질하여 그라파이트의 표면산화를 유도하고 이를 초음파로 박리시켜, 독성물질을 사용하는 환원공정 없이 그라핀을 제조하는 방법이다. 먼저 표면산화를 위하여 산화온도는 20°C로 고정하고, 시간을 15, 30, 45분으로 변화시켰으며, 초음파 박리는 40kHz의 상용 초음파 세척기를 사용하였다. 그라핀의 분리는 일반적인 원심분리와 대신 자연침강법을 사용하였으며, 침강시간에 따른 TEM 분석으로 분리시간을 최적화하고, 나아가 분리된 그라핀의 면저항을 측정하여 품질을 추측하였다. TEM 분석결과 단층 그라핀 보다는 다층 그라핀 (few layer graphene)이 제조된 것으로 사료되며, 이들의 면저항은 ~12,000 Ω/□ 정도로 매우 우수한 품질로 보이나, 수율이 ~20% 정도로 낮은 편이었다. |