| 发明名称 |
半导体装置及其操作方法 |
| 摘要 |
半导体装置包括一或多个内部电路；一非挥发性记忆体电路，包括适用于储存用于非挥发性记忆体电路之第一资料的一第一区域及适用于储存用于内部电路之第二资料的一第二区域；一第一暂存器，适用于暂时储存第一资料；一或多个第二暂存器，适用于暂时储存第二资料；及一控制电路，适用于控制非挥发性记忆体电路当进行一开机操作时分别将第一资料和第二资料传送至第一暂存器和第二暂存器。
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| 申请公布号 |
TW201604879 |
申请公布日期 |
2016.02.01 |
| 申请号 |
TW104100300 |
申请日期 |
2015.01.06 |
| 申请人 |
爱思开海力士有限公司 |
发明人 |
李康设 |
| 分类号 |
G11C16/12(2006.01);G11C17/16(2006.01) |
主分类号 |
G11C16/12(2006.01) |
| 代理机构 |
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代理人 |
赖安国;王立成 |
| 主权项 |
一种半导体装置，包含：一或多个内部电路；一非挥发性记忆体电路，具有适用于储存用于该非挥发性记忆体电路之第一资料的一第一区域及适用于储存用于该等内部电路之第二资料的一第二区域；一第一暂存器，适用于暂时储存该第一资料；一或多个第二暂存器，适用于暂时储存该第二资料；及一控制电路，适用于控制该非挥发性记忆体电路当进行一开机操作时分别将该第一资料和该第二资料传送至该第一暂存器和该等第二暂存器。
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| 地址 |
南韩 |
