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发明名称 Verfahren zur Dotierung von Halbleiterkörpern, insbesondere von Siliziumkörpern
摘要
申请公布号 AT237681(B) 申请公布日期 1964.12.28
申请号 AT19590009198 申请日期 1959.12.18
申请人 SIEMENS-SCHUCKERTWERKE AKTIENGESELLSCHAFT 发明人
分类号 主分类号
代理机构 代理人
主权项
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