Zwischenverbindungsstruktur umfassend Metall-Rückseiten-Umverteilungsleitungen mit sehr kleinem Teilungsabstand kombiniert mit Durchkontaktierungen

摘要

Eine 3D-Zwischenverbindungsstruktur und ein Herstellungsverfahren sind beschrieben, in denen Metall-Umverteilungsschichten (RDLs) mit Silizium-Durchkontaktierungen (TSVs) integriert sind und unter Verwendung eines Verfahrensablaufs der „Durchkontaktierungs-Resist”-Art. Eine Siliziumnitrid- oder Siliziumcarbid-Passivierungsschicht kann zwischen der Rückseite des ausgedünnten Vorrichtungswafers und den RDLs bereitgestellt sein, um während des Verfahrensablaufs eine hermetische Barriere- und Polierstoppschicht bereitzustellen.