发明名称 イオンビーム処理装置
摘要 イオンビーム走査組立体(202、300)は、イオンビームを受け入れ、第一の平面(xz平面)でイオンビームを走査するために領域(330)を定めた一組の走査電極(314a、314b、316a、316b、318)と、走査電極の組によって囲まれたイオンビームの進行経路の一部に沿って配置される複数の電極(304、306、310、312)を備える多重極静電レンズシステムであって、第一の平面に対して垂直な方向(y)でイオンビームを整形するよう構成される、多重極静電レンズシステムと、を有する。【選択図】図3a
申请公布号 JP2016502733(A) 申请公布日期 2016.01.28
申请号 JP20150539715 申请日期 2013.10.22
申请人 ヴァリアン セミコンダクター イクイップメント アソシエイツ インコーポレイテッド 发明人 チャン シュヨンウー
分类号 H01J37/317;H01J37/04;H01L21/265 主分类号 H01J37/317
代理机构 代理人
主权项
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