发明名称 |
イオンビーム処理装置 |
摘要 |
イオンビーム走査組立体(202、300)は、イオンビームを受け入れ、第一の平面(xz平面)でイオンビームを走査するために領域(330)を定めた一組の走査電極(314a、314b、316a、316b、318)と、走査電極の組によって囲まれたイオンビームの進行経路の一部に沿って配置される複数の電極(304、306、310、312)を備える多重極静電レンズシステムであって、第一の平面に対して垂直な方向(y)でイオンビームを整形するよう構成される、多重極静電レンズシステムと、を有する。【選択図】図3a |
申请公布号 |
JP2016502733(A) |
申请公布日期 |
2016.01.28 |
申请号 |
JP20150539715 |
申请日期 |
2013.10.22 |
申请人 |
ヴァリアン セミコンダクター イクイップメント アソシエイツ インコーポレイテッド |
发明人 |
チャン シュヨンウー |
分类号 |
H01J37/317;H01J37/04;H01L21/265 |
主分类号 |
H01J37/317 |
代理机构 |
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代理人 |
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主权项 |
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地址 |
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