| 摘要 |
チャンバー内の載置台に表面にシリコン酸化膜が形成された被処理体を載置し、載置台の上方に載置台に載置された被処理体に対応するように設けられたシャワープレート（５８）の複数のガス吐出孔（６２，６３）から載置台上の被処理体に反応ガスであるＨＦガスおよびＮＨ３ガスを吐出して、これらと被処理体表面のシリコン酸化膜とを反応させる処理を行い、その後、この反応により生成した反応生成物を加熱して分解除去することによりエッチングするにあたり、シャワープレート（５８）を被処理体に対応して複数の領域（５８ａ，５８ｂ）に分け、複数の領域（５８ａ，５８ｂ）のいずれか１以上の領域のガス吐出孔を塞いで、ＨＦガスおよび／またはＮＨ３ガスの分布を制御する。 |
