发明名称 ショットキーダイオード及びショットキーダイオードの製造方法
摘要 本開示は、ドリフト層及びショットキー層を有するショットキーダイオードに関する。ドリフト層は、第1の導電型のドーピング材料によってドープされ、活性領域と関連付けられる第1の表面を有する。ショットキー層は、ショットキー接合を形成するために第1の表面の活性領域の上方に設けられる。第2の導電型の複数の接合バリア要素は、ショットキー接合の下方でドリフト層に形成され、第2の導電型の複数のインプラントも、ショットキー接合の下方でドリフト層に形成される。ある実施形態では、少なくとも1つのインプラントは、接合バリア要素のそれぞれの隣接する対の間に設けられる。
申请公布号 JP2016502763(A) 申请公布日期 2016.01.28
申请号 JP20150545101 申请日期 2013.11.20
申请人 クリー インコーポレイテッドCREE INC. 发明人 チャン チンチュン
分类号 H01L29/872;H01L21/329;H01L29/06;H01L29/47;H01L29/861;H01L29/868 主分类号 H01L29/872
代理机构 代理人
主权项
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