发明名称 |
ショットキーダイオード及びショットキーダイオードの製造方法 |
摘要 |
本開示は、ドリフト層及びショットキー層を有するショットキーダイオードに関する。ドリフト層は、第1の導電型のドーピング材料によってドープされ、活性領域と関連付けられる第1の表面を有する。ショットキー層は、ショットキー接合を形成するために第1の表面の活性領域の上方に設けられる。第2の導電型の複数の接合バリア要素は、ショットキー接合の下方でドリフト層に形成され、第2の導電型の複数のインプラントも、ショットキー接合の下方でドリフト層に形成される。ある実施形態では、少なくとも1つのインプラントは、接合バリア要素のそれぞれの隣接する対の間に設けられる。 |
申请公布号 |
JP2016502763(A) |
申请公布日期 |
2016.01.28 |
申请号 |
JP20150545101 |
申请日期 |
2013.11.20 |
申请人 |
クリー インコーポレイテッドCREE INC. |
发明人 |
チャン チンチュン |
分类号 |
H01L29/872;H01L21/329;H01L29/06;H01L29/47;H01L29/861;H01L29/868 |
主分类号 |
H01L29/872 |
代理机构 |
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代理人 |
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主权项 |
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地址 |
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