发明名称 |
抵抗性メモリセルを再形成するための装置および方法 |
摘要 |
メモリは、複数のメモリセルのアレイ、第1のモジュール、および第2のモジュールを備える。第1のモジュールは、メモリセルの第1の状態を基準と比較するように構成される。メモリセルは、複数のメモリセルのアレイ内に存在する。第2のモジュールは、メモリセルの読み取りサイクルまたは書き込みサイクル後に、比較に基づいて、メモリセルの第1の状態と第2の状態との間の差を調節するべくメモリセルを再形成するように構成される。 |
申请公布号 |
JP2016502727(A) |
申请公布日期 |
2016.01.28 |
申请号 |
JP20150539739 |
申请日期 |
2013.10.23 |
申请人 |
マーベル ワールド トレード リミテッド |
发明人 |
スタルジャ、パンタス;ウー、アルバート;リー、ウィンストン;リー、ピーター;チャン、ランツィ |
分类号 |
G11C13/00;G11C29/12;H01L21/8246;H01L27/10;H01L27/105 |
主分类号 |
G11C13/00 |
代理机构 |
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代理人 |
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主权项 |
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地址 |
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