| 摘要 |
<p>Speichersystem (50) für hohe Speicherdichte, das Folgendes umfasst: eine Vielzahl von M magnetischen Speicherstrukturen (10), wobei jede aus der Vielzahl von M magnetischen Speicherstrukturen eine Spur mit mehreren magnetischen Domänen (12) beinhaltet, die N Bits entsprechen und ein magnetisches Material beinhalten, wobei die Spur mit den mehreren magnetischen Domänen eine erste Position (30) und eine von der ersten Position verschiedene zweite Position (19) beinhaltet; und eine Feldleitung (28), die so beschaffen ist, dass sie gleichzeitig an den M ersten Positionen eine magnetische Domäne mit einer gleichen Polarität erzeugt; wobei das Speichersystem dadurch gekennzeichnet ist, dass es ferner Folgendes umfasst: M Wortleitungen (24), wobei jede der M Wortleitungen mit einer Gate-Elektrode eines ersten Transistors (20), dessen Source- oder Drain-Elektrode mit einer der M ersten Positionen verbunden ist, und mit einer Gate-Elektrode eines zweiten Transistors (21) verbunden ist, dessen Source- oder Drain-Elektrode mit einer Leseeinheit (40) verbunden ist, die so beschaffen ist, dass in einer magnetischen Domäne an einer der M zweiten Positionen gespeicherte Speicherbitwerte gelesen werden.</p> |
