用于制冷或制热器件的N型半导体元件制作方法

摘要

本发明公开了一种用于制冷或制热器件的N型半导体元件制作方法，该N型半导体元件由碲、铋、硒材料制成，先将碲、铋、硒材料粉碎并磨成2000目或2000目以上，然后将各材料按重量份计的配比进行配料得混合料，其配比为：碲40～44份、铋53～57份、硒28～32份。本发明的N型半导体元件在工作时两端的温差较大，经测试本发明的N型半导体元件在工作时其冷端与热端的温差达73～78度左右。所以本发明具有工作效率高、能耗较低的优点。本发明的N型半导体元件特别适合于用于制作半导体的制冷或制热器件。

主权项

一种用于制冷或制热器件的N型半导体元件制作方法，其特征在于：该N型半导体元件由碲、铋、硒材料制成，先将碲、铋、硒材料粉碎并磨成2000目或2000目以上，然后将各材料按重量份计的配比进行配料得混合料，其配比为：碲40～44份、铋53～57份、硒28～32份；将混合料混合均匀后放入用于熔炼的玻璃管中，并将玻璃管带料一起烘干后进行拉脖和抽真空处理，然后将装有混合料的玻璃管放入摇摆炉中进行真空摇摆熔炼，其熔炼温度控制在650～750℃，熔炼时间控制在15～25分钟，然后将玻璃管从摇摆炉取出并在室温下自然冷却；将自然冷却后的玻璃管带料垂直放入拉晶炉中进行拉晶处理，拉晶温度为600～750℃，按每小时2～3厘米的速度进行拉晶，拉晶时间控制在16～20小时，待拉晶完成后即可制得N型半导体晶棒，将制得的N型半导体晶棒经切片、切割制粒后即可制作得到N型半导体元件；所述制得的N型半导体晶棒为一头直径大、另一头直径小的圆锥体形晶棒，将该圆锥体形的N型半导体晶棒进行切片得厚度相同的晶片，晶片的小直径端为头端、大直径端为尾端，在每片晶片的尾端面上作色标记号；然后通过数控切粒的方法对每片晶片的圆锥面进行切割制粒，将每片晶片都切割制粒成相同的多边形柱体形状，该多边形柱体形状的N型半导体，即为专用于半导体制冷或制热器件的N型半导体元件。