用于FINFET单元的方法和装置

摘要

用于提供FinFET SRAM单元的方法和装置。提供了一种SRAM单元结构，包括中心N阱区域以及在中心N阱区域的相对侧上的第一和第二P阱区域，N阱区域与P阱区域的面积比在80％至120％之间，该SRAM单元结构还包括：至少一个p型晶体管，形成在N阱区域中并具有栅电极，栅电极包括在N阱区域中的p型晶体管有源区域上方的栅极和栅极电介质；以及至少一个n型晶体管，形成在第一和第二P阱区域的每一个中，并且每一个n型晶体管都具有栅电极，栅电极包括对应P阱区域中的n型晶体管有源区域上方的栅极和栅极电介质。公开了用于操作SRAM单元结构的方法。

主权项

一种SRAM单元结构，包括：中心N阱区域以及在所述中心N阱区域的相对侧上的第一P阱区域和第二P阱区域，所述中心N阱区域的面积与所述第一P阱区域和所述第二P阱区域的总面积的面积比在80％至120％之间，所述SRAM单元结构进一步包括：至少一个p型晶体管，形成在所述中心N阱区域中并具有栅电极，该栅电极包括在所述中心N阱区域中的p型晶体管有源区域上方的栅极电介质和栅极；以及至少一个n型晶体管，形成在所述第一P阱区域和所述第二P阱区域的每一个中，并且每一个n型晶体管都具有栅电极，该栅电极包括在相应P阱区域中的n型晶体管有源区域上方的栅极电介质和栅极。