| 发明名称 | 一种大面积二硫化钼薄膜材料的制备方法 | ||
| 摘要 | 本发明涉及一种大面积二硫化钼薄膜材料的制备方法，将硫粉和钼源置于瓷舟内待用，将实验用固态基体分别置于丙酮、异丙醇各超声一段时间，以去除基体表面的杂质；然后将基体置于放有钼源的瓷舟之上，最后分别把放有硫源和钼源的瓷舟置于管式炉中；通入惰性气体Ar来除尽管式炉中的空气，设置管式炉中钼源所在温区加热到650～850℃；同样的管式炉中硫源所在温区温度加热到145～200℃；保持温度10～20min后温度冷却至室温；得到了单层或者少层大面积厘米级的二硫化钼薄膜材料。本发明制得二硫化钼薄膜材料，具有大面积、单层或少层均能得到、均匀性好、结晶性好等优点，该方法操作简单，耗时短，且适合大规模生产。 | ||
| 申请公布号 | CN105271800A | 申请公布日期 | 2016.01.27 |
| 申请号 | CN201510755536.9 | 申请日期 | 2015.11.06 |
| 申请人 | 天津大学 | 发明人 | 冯奕钰;陈传蒙;封伟 |
| 分类号 | C03C17/22(2006.01)I;C04B41/50(2006.01)I;C04B41/85(2006.01)I;C23C16/30(2006.01)I | 主分类号 | C03C17/22(2006.01)I |
| 代理机构 | 天津市北洋有限责任专利代理事务所 12201 | 代理人 | 王丽 |
| 主权项 | 一种大面积二硫化钼薄膜材料的制备方法，其特征在于包括以下过程：(1)将硫粉和钼源置于瓷舟内待用，将实验用固态基体分别置于丙酮、异丙醇各超声一段时间，以去除基体表面的杂质；然后将基体置于放有钼源的瓷舟之上，最后分别把放有硫源和钼源的瓷舟置于管式炉中；(2)反应开始前，通入惰性气体Ar来除尽管式炉中的空气，防止高温反应中空气杂质影响二硫化钼的沉积；调节Ar气流量为100～200sccm，设置管式炉中钼源所在温区加热到650～850℃；同样的管式炉中硫源所在温区温度加热到145～200℃；保持温度10～20min后温度冷却至室温；(3)温度降至室温后，将基体从管式炉中取出，就得到了单层或者少层大面积厘米级的二硫化钼薄膜材料。 | ||
| 地址 | 300072 天津市南开区卫津路92号天津大学 | ||