一种改善晶圆边缘产品良率的方法

摘要

本发明公开了一种改善晶圆边缘产品良率的方法，在STI CMP工艺前，在介质膜保护层上增加沉积一研磨停止层，然后通过涂布光刻负胶，进行晶圆边缘曝光，使晶圆边缘曝光区域的光刻负胶保留，而将晶圆边缘曝光区域以外的光刻负胶去除，接着，刻蚀去除光刻负胶覆盖区域以外的研磨停止层，停止在介质膜保护层上，然后再进行STI CMP工艺，以在STI的硬掩模层去除工艺后，使晶圆边缘曝光区域的介质膜保护层得以保留，可避免因Si直接裸露而造成的金属离子污染和深沟槽刻蚀产生的硅刺问题，从而提高了产品良率。

主权项

一种改善晶圆边缘产品良率的方法，其特征在于，包括：步骤S01：提供一半导体晶圆，在晶圆上依次沉积垫层氧化膜、氮化硅硬掩模层，然后涂敷光刻胶，通过光刻、刻蚀去掉场区的垫层氧化膜和氮化硅硬掩模层，其中包括进行去除晶圆边缘光刻胶的第一次晶圆边缘曝光工艺；接着，在场区形成STI沟槽，并全面沉积一介质膜保护层，以进行沟槽填充；步骤S02：在介质膜保护层上沉积一研磨停止层；步骤S03：涂布光刻负胶，进行第二次晶圆边缘曝光，使晶圆边缘曝光区域的光刻负胶保留，而将晶圆边缘曝光区域以外的光刻负胶去除；然后，刻蚀去除光刻负胶覆盖区域以外的研磨停止层，停止在介质膜保护层上；步骤S04：进行STI CMP工艺，以在STI的氮化硅硬掩模层去除工艺后，使整个晶圆边缘曝光区域的介质膜保护层得以保留。