| 发明名称 | 具有场电极和场电介质的半导体器件 | ||
| 摘要 | 本发明涉及具有场电极和场电介质的半导体器件。半导体器件（500）包括场电极结构（160），其包括场电极（165）和围绕场电极（165）的场电介质（161）。场电介质（161）包括第一电介质层（161a）和具有比第一电介质层（161a）更小的带隙和更低的导带边缘中的至少一个的第二电介质层（161b）。半导体主体（100）包括围绕场电极结构（160）并直接邻接第一电介质层（161a）的晶体管部分（TS）。晶体管部分（TS）包括源极区（110）、第一漂移区部分（121a）和使源极区（110）与第一漂移区部分（121a）分离的主体区（115）。主体区（115）形成与源极区（110）的第一pn结（pn1）和与第一漂移区部分（121a）的第二pn结（pn2）。 | ||
| 申请公布号 | CN105280713A | 申请公布日期 | 2016.01.27 |
| 申请号 | CN201510413647.1 | 申请日期 | 2015.07.15 |
| 申请人 | 英飞凌科技奥地利有限公司 | 发明人 | F.希尔勒;M.珀尔兹尔 |
| 分类号 | H01L29/78(2006.01)I;H01L29/40(2006.01)I;H01L29/06(2006.01)I;H01L21/336(2006.01)I | 主分类号 | H01L29/78(2006.01)I |
| 代理机构 | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人 | 王岳;胡莉莉 |
| 主权项 | 一种半导体器件，包括：场电极结构（160），其包括场电极（165）和围绕所述场电极（165）的场电介质（161），其中所述场电介质（161）包括第一电介质层（161a）和具有比所述第一电介质层（161a）更小的带隙和更低的导带边缘中的至少一个的第二电介质层（161b）；以及半导体主体（100），其包括晶体管部分（TS），所述晶体管部分（TS）围绕所述场电极结构（160），直接邻接所述第一电介质层（161a），并包括源极区（110）、第一漂移区部分（121a）和使所述源极区（110）与所述第一漂移区部分（121a）分离的主体区（115），所述主体区（115）形成与所述源极区（110）的第一pn结（pn1）和与所述第一漂移区部分（121a）的第二pn结（pn2）。 | ||
| 地址 | 奥地利菲拉赫 | ||