| 发明名称 | TFT及其制作方法、阵列基板及显示装置 | ||
| 摘要 | 本发明实施例提供一种TFT及其制作方法、阵列基板及显示装置，涉及显示技术领域，能够避免由于氧化物半导体材料暴露于外部环境而造成TFT性能的劣化。该TFT包括有源层。所述有源层包括第一有源层和第二有源层；其中，构成所述第二有源层的材料为氧化物半导体材料，且所述第一有源层的导电率大于所述第二有源层的导电率。 | ||
| 申请公布号 | CN105280717A | 申请公布日期 | 2016.01.27 |
| 申请号 | CN201510613453.6 | 申请日期 | 2015.09.23 |
| 申请人 | 京东方科技集团股份有限公司;合肥京东方光电科技有限公司 | 发明人 | 朴求铉 |
| 分类号 | H01L29/786(2006.01)I;H01L29/26(2006.01)I;H01L29/16(2006.01)I;H01L21/34(2006.01)I | 主分类号 | H01L29/786(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京中博世达专利商标代理有限公司 11274 | 代理人 | 申健 |
| 主权项 | 一种TFT，其特征在于，包括有源层，所述有源层包括第一有源层和第二有源层；其中，构成所述第二有源层的材料为氧化物半导体材料，且所述第一有源层的导电率大于所述第二有源层的导电率。 | ||
| 地址 | 100015 北京市朝阳区酒仙桥路10号 | ||