半导体器件及形成方法

摘要

本发明提供了一种半导体器件及形成方法。半导体器件包括围绕介电管的沟道和围绕沟道的栅极。介电管包括具有或传导很少甚至没有载流子(诸如，电子或空穴)的高介电常数材料。介电管的存在将载流子限制在非常接近于栅极的沟道内。沟道及其内的载流子接近于栅极允许栅极对载流子施加更大的控制，因此允许减少沟道的长度，同时遭受很少甚至没有的短沟道效应，如，穿过沟道的漏电。

主权项

一种半导体器件，包括：沟道，围绕介电管；以及栅极，围绕所述沟道，其中，所述沟道的沟道厚度除以所述沟道的沟道长度的比介于约1/30至约10之间。