发明名称 COMPOSITION FOR FORMING FERROELECTRIC THIN FILM, AND METHOD FOR MANUFACTURING SAME
摘要 가소 공정 및 소성 공정을 통해서 성막의 영률을 조정하여, 1 회당의 도막이 두꺼워도 소성시에 크랙이 거의 발생하지 않아 결정성이 높은 박막을 얻을 수 있고, 따라서 도막 횟수를 줄여 박막의 제조 효율을 높일 수 있는 강유전체 박막 형성용 조성물과 그 제조 방법을 제공한다. 강유전체 박막의 전구체, 용매, 및 반응 제어 물질을 함유하고, 도막의 가소 및 소성에 의해 강유전체 박막이 형성되는 조성물로서, 상기 반응 제어 물질의 함유량이 200 ℃ ∼ 300 ℃ 의 가소 단계에 있어서의 성막의 영률이 42 ㎬ 이하이고 400 ℃ ∼ 500 ℃ 의 소성 단계에 있어서의 성막의 영률이 55 ㎬ 이상이 되는 양인 것을 특징으로 하는 강유전체 박막 형성용 조성물을 사용함으로써, 1 회당의 도막이 두꺼워도 소성시에 크랙이 거의 발생하지 않아 결정성이 높은 박막을 형성한다.
申请公布号 KR20160010470(A) 申请公布日期 2016.01.27
申请号 KR20157033485 申请日期 2014.05.14
申请人 MITSUBISHI MATERIALS CORP. 发明人 DOI TOSHIHIRO;SAKURAI HIDEAKI;SOYAMA NOBUYUKI
分类号 C09D133/26;C08L33/26;C08L39/06;C09D139/06;H01L21/02 主分类号 C09D133/26
代理机构 代理人
主权项
地址