| 摘要 |
본 발명은 금속 산화물 반도체 전계 효과 트랜지스터용 기판 및 금속 산화물 반도체 전계 효과 트랜지스터에 관한 것이다. 상기 기판은, n형 에피택셜 드리프트 구역(10)과, 상기 드리프트 구역에 배치된 제1형 에피택셜 층(20)과, 상기 제1 층 상에 배치된, 고농도로 n도핑된 제2 층(30)과,주입에 의해 형성된 단자(41)를 포함하고, 이때 제1 층(20)은 상기 단자(41)와 전기적으로 접촉되어 있으면서 상기 단자(41)와 트렌치 사이에 횡방향으로 배치되며, 상기 트렌치는 드리프트 구역과, 제1 층(20)과, 제2 층(30) 내에 형성된다. 기판은,주입의 주입 깊이(P)가 트렌치의 깊이와 적어도 동일한 것을 특징으로 한다. 깊은주입은, 전계가 더 이상 게이트 산화물에 작용하지 못하도록, 인접한 트렌치들을 분리할 수 있는데, 그 이유는 상기 전계가 게이트 산화물 주변으로 안내되기 때문이다. |
