发明名称 在垂直磁记录介质上的软磁性薄膜层中使用的合金,溅射靶材,以及具有软磁性薄膜层的垂直磁记录介质
摘要 本发明提供了一种用于垂直磁记录介质的软磁性合金,其在室温展现低饱和磁通密度,并且具有在高温小的饱和磁通密度下降。该合金包含,按原子%计,Ti、Zr、Hf、V、Nb、Ta、Cr、Mo、W、Mn、Ni、Cu、Al、B、C、Si、P、Zn、Ga、Ge和Sn中的一种或两种以上,和余量的Co、Fe,以及不可避免的杂质,并且满足以下全部:表达式(1)0≤Fe%/(Fe%+Co%)≤0.5;表达式(2)5≤Ti%+Zr%+Hf%+V%+Nb%+Ta%+B%/2;和表达式(3)0.3≤0.813×Fe%/(Fe%+Co%)-0.062×TNM+1.751≤1.2(其中,Fe%/(Fe%+Co%)是Fe的含量与Fe和Co的总含量之间的比例;并且TNM是所加入的Ti、Zr、Hf、V、Nb、Ta、Cr、Mo、W、Mn、Ni、Cu、Al、B、C、Si、P、Zn、Ga、Ge和Sn的量的总百分数,其中,仅对于B,使用其1/2的值)。
申请公布号 CN103842549B 申请公布日期 2016.01.27
申请号 CN201280046696.0 申请日期 2012.09.20
申请人 山阳特殊制钢株式会社 发明人 泽田俊之;松原庆明
分类号 C22C45/04(2006.01)I;C23C14/34(2006.01)I;G11B5/667(2006.01)I 主分类号 C22C45/04(2006.01)I
代理机构 中科专利商标代理有限责任公司 11021 代理人 王旭
主权项 一种用于垂直磁记录介质中的软磁性薄膜层的合金,其中,所述合金包含按原子%计的:Ti、Zr、Hf、V、Nb、Ta、Cr、Mo、W、Mn、Ni、Cu、Al、B、C、Si、P、Zn、Ga、Ge和Sn中的一种或两种以上,和余量的Co、Fe,以及不可避免的杂质;并且满足以下表达式(1)至(3)的全部:(1)0≤Fe%/(Fe%+Co%)≤0.5;(2)13≤Ti%+Zr%+Hf%+V%+Nb%+Ta%+B%/2;和(3)0.3≤0.813×Fe%/(Fe%+Co%)‑0.062×TNM+1.751≤1.2(其中Fe%/(Fe%+Co%)是Fe的含量与Fe和Co的总含量的比例;并且TNM是加入的Ti、Zr、Hf、V、Nb、Ta、Cr、Mo、W、Mn、Ni、Cu、Al、B、C、Si、P、Zn、Ga、Ge和Sn的量的总百分数,其中,仅对于B使用其1/2的值)。
地址 日本兵库县