| 发明名称 | 单晶硅的制造方法 | ||
| 摘要 | 提供可降低单晶硅的制造成本且难以导入双晶的单晶硅的制造方法。基于丘克拉斯基法的单晶硅的制造方法，其包括如下工序：向坩埚1内填充硅原料的填充工序；将填充工序中填充在坩埚1内的硅原料加热进行熔解的熔解工序；以及，将晶种浸渍于利用熔解工序产生的硅熔液后进行提拉的提拉工序。填充工序包括如下工序：作为硅原料，将对多槽性表面的多晶硅原料进行粉碎或切断而成的第1硅原料填充至坩埚1内的下部的第1填充工序；以及，作为硅原料，将对多槽性表面的多晶硅原料进行粉碎或切断而成的第2硅原料在坩埚1内填充至第1硅原料之上的第2填充工序。 | ||
| 申请公布号 | CN105274617A | 申请公布日期 | 2016.01.27 |
| 申请号 | CN201510440157.0 | 申请日期 | 2015.07.24 |
| 申请人 | 胜高股份有限公司 | 发明人 | 八木大地 |
| 分类号 | C30B15/00(2006.01)I;C30B29/06(2006.01)I | 主分类号 | C30B15/00(2006.01)I |
| 代理机构 | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人 | 蔡晓菡;刘力 |
| 主权项 | 基于丘克拉斯基法的单晶硅的制造方法，其包括如下工序：向坩埚内填充硅原料的填充工序；将所述填充工序中填充在所述坩埚内的所述硅原料加热进行熔解的熔解工序；以及将晶种浸渍于利用所述熔解工序产生的硅熔液后进行提拉的提拉工序，所述填充工序包括如下工序：将作为所述硅原料的对多槽性表面的多晶硅原料进行粉碎或切断而成的第1硅原料填充至所述坩埚内的下部的第1填充工序；以及将作为所述硅原料的对非多槽性表面的多晶硅原料进行粉碎、切断而成的第2硅原料在所述坩埚内填充至所述第1硅原料之上的第2填充工序。 | ||
| 地址 | 日本东京都 | ||