发明名称 一种低介电常数陶瓷粉体及其制备方法
摘要 本发明公开的低介电常数陶瓷粉体,具有以CaMgSi<sub>2</sub>O<sub>6</sub>为核、Ca(Mg,Al,Zn,Co)(Si,Al)<sub>2</sub>O<sub>6</sub>为壳的核-壳两层结构;其制备过程主要包括:先以钙的化合物、镁的化合物以及正硅酸乙酯为原料,在900~1200℃煅烧后合成CaMgSi<sub>2</sub>O<sub>6</sub>粉体,然后将CaMgSi<sub>2</sub>O<sub>6</sub>粉体放入钙镁铝锌钴等化合物及硅溶胶的去离子水溶液中,在180~220 ℃的反应釜中保温2~8小时,即可获得本发明的陶瓷粉体。本发明所采用的原材料来源广泛易得、制备工艺简单可控,利用烧结温度较低的Ca(Mg,Al,Zn,Co)(Si,Al)<sub>2</sub>O<sub>6</sub>对CaMgSi<sub>2</sub>O<sub>6</sub>进行包覆,不但可以保持烧结后陶瓷的优良介电性能,还能优化其烧结性能。
申请公布号 CN105272184A 申请公布日期 2016.01.27
申请号 CN201510696174.0 申请日期 2015.10.23
申请人 曹永盛 发明人 曹永盛
分类号 C04B35/16(2006.01)I;C04B35/628(2006.01)I 主分类号 C04B35/16(2006.01)I
代理机构 代理人
主权项 一种低介电常数陶瓷粉体,其特征在于它具有核‑壳两层结构:中间的核层为CaMgSi<sub>2</sub>O<sub>6</sub>,外面的壳层为Ca(Mg<sub>1‑x‑y‑z</sub>Al<sub>x</sub>Zn<sub>y</sub>Co<sub>z</sub>)(Si<sub>1‑x/2</sub>Al<sub>x/2</sub>)<sub>2</sub>O<sub>6</sub>,其中0.04 ≤ x ≤ 0.1,0 ≤ y ≤ 0.2,0 ≤ z ≤ 0.1,壳层物质与核层物质的摩尔比为0.05~0.3:1。
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