半导体装置

摘要

本发明提供一种半导体装置。能够软化高速二极管的反向恢复动作时的电流波形。在具有使电流在纵向上流动的PiN型二极管结构的二极管中，在施加反向偏压时所形成的耗尽层区域的外侧的漂移层的区域中，局部地配置有产生载流子的载流子残存层(结晶缺陷层)。利用该层在开关动作时供给载流子(电子)，并使由此产生的电流流动，因此，载流子不会急剧消失，能够软化反向恢复动作时的电流波形。由于未在二极管的背面设置载流子残存层(结晶缺陷层)，因此不使Vf上升就能够软化电流波形。

主权项

一种半导体装置，其特征在于，所述半导体装置构成为具有电流在纵向上流动的PiN型的二极管结构，并且在施加反向偏压时所形成的耗尽层外侧的外周区域(惰性区域)中具有产生载流子的结晶缺陷层。