| 发明名称 | 一种重掺杂硅屏蔽硅通孔结构及其制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明涉及一种重掺杂硅屏蔽硅通孔结构及其制造方法。一种重掺杂硅屏蔽硅通孔结构，从外向内依次为半导体衬底、重掺杂硅屏蔽层、介质层和金属柱层，重掺杂硅屏蔽层的厚度为0.1～1μm，介质层的厚度为0.1～1μm；金属柱层的半径为2～5μm。一种重掺杂硅屏蔽硅通孔的制造方法，包括(1)在半导体衬底上通过反应离子的方式刻蚀通孔；(2)在通孔的内表面通过高温扩散和离子注入制备重掺杂硅屏蔽层；(3)在通孔的内表面通过化学气相淀积法制备介质层；(4)在介质层的表面通过物理气相淀积法制备金属柱层，直至完全填满为止；(5)在半导体衬底和硅通孔的上表面进行化学机械抛光，直到半导体衬底和硅通孔的上表面平整后为止。 | ||
| 申请公布号 | CN105280617A | 申请公布日期 | 2016.01.27 |
| 申请号 | CN201510671943.1 | 申请日期 | 2015.10.15 |
| 申请人 | 西安电子科技大学 | 发明人 | 尹湘坤;朱樟明;杨银堂;李跃进;丁瑞雪 |
| 分类号 | H01L23/538(2006.01)I;H01L21/768(2006.01)I | 主分类号 | H01L23/538(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京世誉鑫诚专利代理事务所(普通合伙) 11368 | 代理人 | 郭官厚 |
| 主权项 | 一种重掺杂硅屏蔽硅通孔结构，其特征在于，从外向内依次为半导体衬底、重掺杂硅屏蔽层、介质层和金属柱层，所述重掺杂硅屏蔽层的厚度为0.1～1μm，所述介质层为二氧化硅层、氮化硅层、氮氧化硅层中的一种，所述介质层的厚度为0.1～1μm，所述金属柱层的半径为2～5μm。 | ||
| 地址 | 710071 陕西省西安市太白南路2号 | ||