| 发明名称 | 具有残余应力层的半导体封装件及其制造方法 | ||
| 摘要 | 提供具有残余应力层的半导体封装件及其制造方法。所述半导体封装件包括下封装件和堆叠在下封装件上的上封装件。下封装件包括封装基底、半导体芯片、模制层和残余应力层。封装基底具有上表面和下表面。半导体芯片设置在封装基底的上表面上。模制层包封半导体芯片。残余应力层设置在半导体芯片上。残余应力层包括塑性形变的表面。残余应力层具有残余应力以抵消下封装件的翘曲。 | ||
| 申请公布号 | CN105280569A | 申请公布日期 | 2016.01.27 |
| 申请号 | CN201510315540.3 | 申请日期 | 2015.06.10 |
| 申请人 | 三星电子株式会社 | 发明人 | 金永培 |
| 分类号 | H01L23/28(2006.01)I;H01L23/31(2006.01)I;H01L21/56(2006.01)I | 主分类号 | H01L23/28(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京铭硕知识产权代理有限公司 11286 | 代理人 | 刘灿强;尹淑梅 |
| 主权项 | 一种半导体封装件，所述半导体封装件包括下封装件和堆叠在下封装件上的上封装件，其中，下封装件包括：封装基底，具有上表面和下表面；半导体芯片，设置在封装基底的上表面上；模制层，包封半导体芯片；以及残余应力层，设置在半导体芯片上，其中，残余应力层包括塑性形变的表面，其中，残余应力层具有残余应力以抵消下封装件的翘曲。 | ||
| 地址 | 韩国京畿道水原市 | ||