半导体器件及其形成方法

摘要

根据示例性实施例，提供了形成垂直结构的方法。该方法包括以下操作：提供衬底；在衬底上方形成第一氧化物层；在第一氧化物层上方形成第一伪层；蚀刻第一氧化物层和第一伪层以形成凹槽；在凹槽中形成第二伪层(以及对第二伪层进一步实施CMP并停止在第一伪层上)；去除第一伪层；去除第一氧化物层；以及蚀刻衬底以形成垂直结构。根据示例性实施例，提供了半导体器件。该半导体器件包括：衬底、嵌入在衬底中的STI；以及具有与STI基本对准的源极的垂直晶体管。本发明涉及半导体器件及其形成方法。

主权项

一种形成垂直结构的方法，包括：提供衬底；在所述衬底上方形成第一氧化物层；形成浅沟槽隔离件以将所述衬底划分成第一区和第二区；在所述第一氧化物层和所述浅沟槽隔离件上方形成第一伪层；蚀刻所述第一氧化物层和所述第一伪层以在所述第一区中形成第一凹槽并在所述第二区中形成第二凹槽；在所述第一凹槽和所述第二凹槽中形成第二伪层；去除所述第一伪层；去除所述第一氧化物层；蚀刻所述浅沟槽隔离件的一部分；以及蚀刻所述衬底以使得所述衬底与所述浅沟槽隔离件的顶部对准，并且在所述第一区中形成第一垂直结构且在所述第二区中形成第二垂直结构。