发明名称 绝缘栅极双极性晶体管及其制造方法
摘要 本发明实施例提供一种绝缘栅极双极性晶体管,包括:基板;具有第一导电型集电极区及相邻的第二导电型集电极区,自基板的下表面延伸入基板中;集电极电极,电连接第二导电型集电极区,且通过集电极绝缘层与第一导电型集电极区电性绝缘;第一发射极区,第二发射极区,以及第一导电型基极区;发射极电极,栅极介电层,及栅极电极,栅极电极设于栅极介电层上。本发明实施例亦提供此绝缘栅极双极性晶体管的制造方法。
申请公布号 CN105280692A 申请公布日期 2016.01.27
申请号 CN201410383362.3 申请日期 2014.08.06
申请人 新唐科技股份有限公司 发明人 伊牧;陈柏安;陈鲁夫
分类号 H01L29/739(2006.01)I;H01L21/331(2006.01)I;H01L29/41(2006.01)I 主分类号 H01L29/739(2006.01)I
代理机构 北京三友知识产权代理有限公司 11127 代理人 汤在彦
主权项 一种绝缘栅极双极性晶体管,其特征在于,该绝缘栅极双极性晶体管包括:一基板,具有一第一导电型,且具有一上表面及一下表面;一第一导电型集电极区及相邻的一第二导电型集电极区,自该基板的下表面延伸入该基板中,其中该第二导电型与该第一导电型不同;一集电极电极,电连接该第二导电型集电极区,且通过一集电极绝缘层与该第一导电型集电极区电性绝缘;一第一发射极区,具有该第二导电型,自该基板的上表面延伸入该基板中;一第二发射极区,具有该第一导电型,且自该基板的上表面延伸入该第一发射极区中,其中该基板未形成有该第一发射极区、该第二发射极区、该第一导电型集电极区及该第二导电型集电极区的部分是作为一第一导电型基极区;一发射极电极,与该第一发射极区及该第二发射极区电连接;一栅极介电层,设于该第一发射极区、该第二发射极区与该基板上;及一栅极电极,设于该栅极介电层上。
地址 中国台湾新竹科学工业园区