半导体功率开关和用于制造半导体功率开关的方法

摘要

本发明涉及一种半导体功率开关（100），其具有载体衬底（110）和施加在载体衬底（110）上的由第一半导体材料构成的第一半导体层（130）。该半导体功率开关（100）此外包括施加在第一半导体层（130）上的由第二半导体材料构成的第二半导体层（135），其中第一半导体材料的带间距与第二半导体材料的带间距不同。该半导体功率开关（100）还包括漏端子（145）和源端子（150），所述漏端子和源端子至少被嵌入在第二半导体层（135）中，其中借助所述漏端子（145）和源端子（150）至少能够电接触第一和第二半导体材料之间的分界层（140）。该半导体功率开关（100）此外包括漏端子（145）和源端子（150）之间的沟道区域（155），其中构造所述沟道区域（155），以便用作电功率开关。最后，该半导体功率开关（100）包括栅端子（170），其至少部分地覆盖沟道区域（155）。

主权项

具有以下特征的半导体功率开关（100）：－载体衬底（110）；－施加在载体衬底（110）上的由第一半导体材料构成的第一半导体层（130）；－施加在第一半导体层（130）上的由第二半导体材料构成的第二半导体层（135），其中第一半导体材料的带间距与第二半导体材料的带间距不同；－漏端子（145）和源端子（150），所述漏端子（145）和源端子（150）至少被嵌入在第二半导体层（135）中，其中借助所述漏端子（145）和源端子（150）至少能够电接触第一和第二半导体材料之间的分界层（140）；－漏端子（145）和源端子（150）之间的沟道区域（155），其中构造所述沟道区域（155），以便用作电功率开关；以及－栅端子（170），其至少部分地覆盖沟道区域（155）。