| 发明名称 | 铁电存储器设备 | ||
| 摘要 | 本发明涉及一种铁电存储器设备，其包括：包含铁电聚合物的至少一层，以及在所述层两侧的至少两个电极，所述铁电聚合物具有通式P(VDF-X-Y)，其中VDF表示偏二氟乙烯的基元，X表示三氟乙烯或四氟乙烯的基元，并且Y表示源自第三单体的基元，在聚合物中基元Y的摩尔比例小于或等于6.5%。 | ||
| 申请公布号 | CN105283945A | 申请公布日期 | 2016.01.27 |
| 申请号 | CN201480034917.1 | 申请日期 | 2014.04.16 |
| 申请人 | 阿肯马法国公司 | 发明人 | F.多明古斯多斯桑托斯;T.兰努泽尔 |
| 分类号 | H01L21/28(2006.01)I;C08F214/18(2006.01)I;H01G4/14(2006.01)I;H01L29/51(2006.01)I;H01L29/66(2006.01)I;H01L29/78(2006.01)I;H01L27/10(2006.01)I;H01L51/00(2006.01)I;H01L29/861(2006.01)I;H01L51/05(2006.01)I;H01L27/28(2006.01)I;H01L49/02(2006.01)I;G11C11/22(2006.01)I;H01L21/336(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/28(2006.01)I |
| 代理机构 | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人 | 臧永杰;刘春元 |
| 主权项 | 一种铁电存储器设备，其包括：包含铁电聚合物的至少一层，以及在所述层两侧的至少两个电极，所述铁电聚合物具有通式P(VDF‑X‑Y)，其中VDF表示偏二氟乙烯的基元，X表示三氟乙烯或四氟乙烯的基元，并且Y表示源自第三单体的基元，在所述聚合物中基元Y的摩尔比例小于或等于6.5%。 | ||
| 地址 | 法国科隆布 | ||