发明名称 SEMICONDUCTOR LIGHT EMITTING DEVICE
摘要 본 개시는 복수의 반도체 발광소자가 형성된 반도체 발광소자 웨이퍼를 반도체 발광소자별로 분리하여 형성되는 반도체 발광소자에 있어서, 제1 도전성을 가지는 제1 반도체층, 제1 도전성과 다른 제2 도전성을 가지는 제2 반도체층, 제1 반도체층과 제2 반도체층 사이에 개재되며 전자와 정공의 재결합을 통해 빛을 생성하는 활성층을 구비하며, 성장 기판을 이용하여 성장되는 복수의 반도체층; 활성층에서 생성된 빛을 반사하도록 복수의 반도체층 위에 구비되며, 분포 브래그 리플렉터를 가지는 비도전성 반사막; 복수의 반도체층에 전자 및 정공을 공급하도록 비도전성 반사막 위에서 절연을 위해 서로 대향하며 간격을 두고 구비되는 제1 전극 및 제2 전극; 그리고, 간격에 대응하는 복수의 반도체층의 가장자리에 형성되어, 비도전성 반사막에서 발생된 크랙(crack)이 간격을 타고 전파되는 것을 차단하는 차단면;으로서, 복수의 반도체층의 일부가 제거되어 형성되는 차단면;을 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자에 관한 것이다.
申请公布号 KR101588825(B1) 申请公布日期 2016.01.27
申请号 KR20140067575 申请日期 2014.06.03
申请人 주식회사 세미콘라이트 发明人 박준천;전수근
分类号 H01L33/10;H01L33/36;H01L33/44 主分类号 H01L33/10
代理机构 代理人
主权项
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