用于降低钨粗糙度并改进反射率的方法

摘要

本发明提供产生具有较低粗糙度和较高反射率的低电阻率钨体层的方法。平滑且高反射性的钨层比常规低电阻率钨膜更易于光图案化。所述方法涉及在存在交替氮气脉冲的情况下的钨的CVD沉积，以便在不存在氮的情况下和在存在氮的情况下通过CVD沉积所述膜的交替部分。根据各种实施例，在存在氮的情况下通过CVD沉积20％至90％之间的总膜厚度。

主权项

一种在半导体衬底上形成钨膜的方法，所述方法包含：在所述半导体衬底上沉积钨成核层；通过CVD工艺在所述钨成核层上沉积钨体层，其中在所述钨体层的CVD沉积期间将所述半导体衬底暴露于多个氮脉冲，其中所述氮脉冲之间有延迟，其中在所述钨体层的所述CVD沉积期间不通过脉冲成核层PNL工艺沉积钨来执行所述钨体层的所述CVD沉积。