| 发明名称 | 半导体装置及半导体装置的制造方法 | ||
| 摘要 | 根据实施方式，提供一种半导体装置。半导体装置具备绝缘层、电极和槽。绝缘层设在基板的表面上。电极埋设在绝缘层中，一方的端面从绝缘层露出。槽形成在基板表面的电极的周围。此外，槽以电极的外侧面为一方的侧面，绝缘层的表面侧被开放。埋设在绝缘层中的电极其一方的端面从绝缘层的表面突出。 | ||
| 申请公布号 | CN105280657A | 申请公布日期 | 2016.01.27 |
| 申请号 | CN201510321410.0 | 申请日期 | 2015.06.12 |
| 申请人 | 株式会社东芝 | 发明人 | 谷田一真;吉田贵光;内海邦朗;川崎敦子 |
| 分类号 | H01L27/146(2006.01)I;H01L21/28(2006.01)I;H01L21/82(2006.01)I | 主分类号 | H01L27/146(2006.01)I |
| 代理机构 | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人 | 徐殿军 |
| 主权项 | 一种半导体装置，其特征在于，具备：绝缘层，设置于基板的表面；电极，埋设于上述绝缘层，一方的端面从绝缘层露出；以及槽，形成在上述基板表面的上述电极的周围。 | ||
| 地址 | 日本东京都 | ||