用于制造半导体器件的方法

摘要

本公开的实施方式涉及一种制造包括场效应晶体管的具有改善的电特性半导体器件。根据本公开的实施方式，自对准接触插塞可以利用设置在栅部分上的金属硬掩模部分有效地形成。另外，用于形成自对准接触插塞的光致抗蚀剂掩模的工艺裕度可以通过利用金属硬掩模部分而得以改善。

主权项

一种用于制造半导体器件的方法，所述方法包括：在基板上形成第一和第二绝缘图案，所述绝缘图案的每个在垂直于所述基板的顶表面的方向上突出；在所述第一绝缘图案和所述第二绝缘图案之间形成导电图案，所述导电图案包括栅部分和在所述栅部分上的金属硬掩模部分；在所述导电图案与所述第一绝缘图案之间形成第一间隔物以及在所述导电图案与所述第二绝缘图案之间形成第二间隔物，其中所述间隔物的每个从所述基板的所述顶表面垂直地延伸；通过利用所述金属硬掩模部分作为蚀刻掩模蚀刻所述绝缘图案，形成穿透所述绝缘图案的接触孔；以及分别形成填充所述接触孔的接触插塞，其中所述金属硬掩模部分的顶表面垂直地交叠所述间隔物的各顶表面。