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수광면측인 일면측에 제2 도전형의 불순물 원소가 확산된 불순물 확산층을 갖는 제1 도전형의 반도체 기판과, 그리드 전극과 상기 그리드 전극에 도통하며 상기 그리드 전극보다도 폭이 넓은 버스 전극으로 이루어지고, 상기 일면측에 형성되며 상기 불순물 확산층에 전기적으로 접속하는 수광면측 전극과, 상기 반도체 기판의 상기 일면측과 반대측의 이면에 형성되며 상기 불순물 확산층에 전기적으로 접속하는 이면측 전극을 구비한 태양전지 셀로서, 상기 수광면측 전극은, 상기 반도체 기판의 일면측에 직접 접합한 금속 페이스트 전극층인 제1 금속 전극층과, 상기 제1 금속 전극층과는 다름과 함께 상기 제1 금속 전극층과 개략 동등한 전기 저항률을 갖는 금속재료로 이루어지며 상기 제1 금속 전극층상을 덮고서 형성된 도금 전극층인 제2 금속 전극층을 구비하여 이루어지고, 상기 그리드 전극의 단면적이 300㎛이상이고, 상기 그리드 전극의 전극 폭이 60㎛ 이하이다. |
