发明名称 |
MOS晶体管及其制作方法 |
摘要 |
本发明提供一种MOS晶体管及其制作方法,所述制作方法包括:提供半导体衬底,所述半导体衬底上具有栅极和栅极侧墙;预非晶化栅极侧墙两侧的半导体衬底以定义源区和漏区;对预非晶化后的半导体衬底进行自对准硅化物工艺,从而形成超薄的低阻多晶金属硅化物作为源区和漏区。本发明中的MOS晶体管的制作方法,通过自对准硅化物工艺前对源漏区的衬底进行预非晶化处理,之后进行自对准硅化物工艺,这样可以在源漏区形成超薄的低阻多晶金属硅化物,而不是超薄的高阻外延单晶金属硅化物,因此能够有效降低源/漏寄生电阻,明显改善器件性能。 |
申请公布号 |
CN102569087B |
申请公布日期 |
2016.01.27 |
申请号 |
CN201010612589.2 |
申请日期 |
2010.12.29 |
申请人 |
中国科学院微电子研究所 |
发明人 |
罗军;赵超;钟汇才 |
分类号 |
H01L21/336(2006.01)I;H01L29/78(2006.01)I;H01L29/08(2006.01)I |
主分类号 |
H01L21/336(2006.01)I |
代理机构 |
北京集佳知识产权代理有限公司 11227 |
代理人 |
逯长明;王宝筠 |
主权项 |
一种MOS晶体管的制作方法,其特征在于,包括:提供半导体衬底,所述半导体衬底上具有栅极和栅极侧墙;预非晶化栅极侧墙两侧的半导体衬底以定义源区和漏区;对预非晶化后的半导体衬底进行自对准硅化物工艺,从而形成超薄的低阻多晶金属硅化物作为源区和漏区;其中,所述超薄的低阻多晶金属硅化物为源区和漏区的整体,所述超薄的低阻多晶金属硅化物的厚度小于或等于10nm。 |
地址 |
100029 北京市朝阳区北土城西路3号 |