一种金刚石膜抛光方法

摘要

本发明公开了一种金刚石膜抛光方法，第一步制作一个密封容器；第二步，在密封容器内设置铝板阴极，所述的铝板阴极具有圆弧面，阴极安装在一个水冷装置上，并与直流电源相连；第三步在铝板阴极圆弧面正对面设置托架，将金刚石膜安装在托架上；托架上连接等离子体发生装置，第四步向密封容器内通入氧气和氢气，并保持一定的真空度。本发明采用离子体通过阴极表面时将产生弯曲，使之在工件与阴极之间产生半聚焦的电子束，同时容器保持一定的真空度，电子束辅助等离子体加工可用于处理最小厚度仅为5μm的极薄金刚石膜，加工速度约为10～40nm/min。

主权项

一种金刚石膜抛光方法，其特征在于：所述的方法，第一步制作一个密封容器；第二步，在密封容器内设置铝板阴极，所述的铝板阴极具有圆弧面，圆弧直径为圆弧直径为72mm，曲率为200mm，阴极安装在一个水冷装置上，并与直流电源相连；第三步在铝板阴极圆弧面正对面设置托架，将金刚石膜安装在托架上；托架上连接等离子体发生装置，阴极表面在加工中不断与腔内气体作用而发生氧化，由于阴极为圆弧面，所以等离子体通过阴极表面时将产生弯曲，使之在工件与阴极之间产生半聚焦的电子束；第四步向密封容器内通入氧气和氢气，并保持一定的真空度。