发明名称 |
具有钝化层的发光二极管 |
摘要 |
本发明涉及一种用于制造光电子半导体芯片的方法。所述方法包括:在初始衬底(120)上构成半导体层序列(130)和对半导体层序列(130)结构化,其中构成呈隆起部的形式的、具有环绕的侧表面(239)的半导体结构(230,232),其方式是,移除包围半导体结构(230,232)的区域中的半导体层序列(130)的材料直至如下深度,使得在环绕的侧表面(239)上露出半导体层序列(130)的有源区(133)。所述方法还包括:构成钝化层(150),其中钝化层(150)设置在半导体结构(230,232)的环绕的侧表面(239)上;在构成钝化层(150)之后在半导体结构(230,232)的具有至少一个贯通孔(260)的区域中构成连接结构;将连接结构与载体衬底(125)连接;和移除初始衬底(120)。本发明还涉及一种光电子半导体芯片。 |
申请公布号 |
CN105283967A |
申请公布日期 |
2016.01.27 |
申请号 |
CN201480032470.4 |
申请日期 |
2014.06.05 |
申请人 |
欧司朗光电半导体有限公司 |
发明人 |
扎比内·沃马多普;马库斯·毛特 |
分类号 |
H01L33/00(2006.01)I;H01L33/40(2006.01)I;H01L33/44(2006.01)I;H01L33/20(2006.01)I |
主分类号 |
H01L33/00(2006.01)I |
代理机构 |
北京集佳知识产权代理有限公司 11227 |
代理人 |
丁永凡;张春水 |
主权项 |
一种用于制造光电子半导体芯片的方法,所述方法包括如下方法步骤:在初始衬底(120)上构成半导体层序列(130),所述半导体层序列具有第一半导体区域和第二半导体区域(131,132)以及设置在其间的用于产生辐射的有源区(133);对所述半导体层序列(130)结构化,其中构成呈隆起部的形式的、具有环绕的侧表面(239)的半导体结构(230,232),其方式是,移除包围所述半导体结构(230,232)的区域中的所述半导体层序列(130)的材料至少直至如下深度,使得在环绕的所述侧表面(239)上露出所述有源区(133);构成钝化层(150),其中所述钝化层(150)设置在所述半导体结构(230,232)的环绕的所述侧表面(239)上;在构成所述钝化层(150)之后,在所述半导体结构(230,232)的区域中构成连接结构,所述连接结构具有能传导的第一连接层和第二连接层(161,162),所述第一连接层和第二连接层彼此分开,其中所述第一连接层(161)与所述第一半导体区域(131)电连接,并且所述第二连接层(162)经由至少一个贯通孔(260)与所述第二半导体区域(132)电连接;将所述连接结构与载体衬底(125)连接;以及移除所述初始衬底(120)。 |
地址 |
德国雷根斯堡 |