氮化物半导体层、氮化物半导体装置和用于制造氮化物半导体层的方法

摘要

根据一个实施方案，提供一种沿第一表面伸展的氮化物半导体层。所述氮化物半导体层包括第一区和第二区。所述第一区在平行于所述第一表面的第一方向上的长度大于所述第一区在平行于所述第一表面且垂直于所述第一方向的第二方向上的长度。所述第二区与所述第一区一起布置在所述第二方向上。所述第二区在所述第一方向上的长度大于所述第二区在所述第二方向上的长度。c轴相对于所述第一区和所述第二区的所述第二方向倾斜。所述c轴与垂直于所述第一表面的第三方向相交。

主权项

沿第一表面伸展的氮化物半导体层，所述氮化物半导体层包括：第一区，所述第一区在平行于所述第一表面的第一方向上的长度大于所述第一区在平行于所述第一表面且垂直于所述第一方向的第二方向上的长度；和第二区，其与所述第一区一起布置在所述第二方向上，所述第二区在所述第一方向上的长度大于所述第二区在所述第二方向上的长度；c轴，其相对于所述第一区和所述第二区的所述第二方向倾斜；所述c轴与垂直于所述第一表面的第三方向相交。