一种沟槽IGBT器件的制造方法

摘要

一种沟槽IGBT器件的制造方法，该制造方法是在选定的N型外延硅衬底或者区熔片上生长N型外延形成电荷贮存层，在上面生长P型外延形成沟道区；光刻沟槽图形，干法刻蚀硅衬底，生长栅极氧化层，淀积原位参杂的多晶硅材料填充沟槽；然后光刻栅极图形，刻蚀多晶硅形成顶层MOS结构的栅极；光刻N型源区注入N型杂质；然后淀积氧化层或者氮化硅等绝缘材料并退火致密，光刻接触孔，刻蚀绝缘层裸露出之前形成的所有元胞的P阱区和N型源区硅表面；注入P型杂质并激活，确保P阱区与顶层金属的欧姆接触；采取溅射顶层金属，光刻刻蚀顶层金属，淀积钝化层，光刻刻蚀钝化层，最后合金完成顶层结构的制作；有效增强沟槽IGBT电学性能。

主权项

一种沟槽IGBT器件的制造方法，其特征在于：该制造方法是在选定的N型外延硅衬底或者区熔片上生长N型外延形成电荷贮存层 ，在上面生长P型外延形成沟道区；光刻沟槽图形，干法刻蚀硅衬底，生长栅极氧化层，淀积原位参杂的多晶硅材料填充沟槽；然后光刻栅极图形，刻蚀多晶硅形成顶层MOS结构的栅极；光刻N型源区注入N型杂质；然后淀积氧化层或者氮化硅等绝缘材料并退火致密，光刻接触孔，刻蚀绝缘层裸露出之前形成的所有元胞的P阱区和N型源区硅表面；注入P型杂质并激活，确保P阱区与顶层金属的欧姆接触。