发明名称 宽带成像仪
摘要 揭示了能够对IR和可见光这二者进行成像的宽带成像仪。在一个实施例中,IR像素的IR敏感区域位于R、G和B可见像素的R、G、B敏感区域之下。因此,IR像素通过R、G和B像素通过其接收可见光的光电传感器的同一表面区域来接收IR光。然而,IR光在RGB像素与IR像素共享的公共表面区域之下比可见光更深处生成电子-空穴对。光电传感器还具有用于积累在IR敏感区域中生成的电荷的电荷累积区域,以及位于电荷累积区域之上、用于提供电压以积累在IR像素中生成的电荷的电极。
申请公布号 CN103236433B 申请公布日期 2016.01.27
申请号 CN201310002216.7 申请日期 2013.01.04
申请人 微软技术许可有限责任公司 发明人 D·科恩;G·叶海弗
分类号 H01L27/146(2006.01)I;H04N9/04(2006.01)I;H04N13/02(2006.01)I 主分类号 H01L27/146(2006.01)I
代理机构 上海专利商标事务所有限公司 31100 代理人 杨洁
主权项 一种半导体光电传感器,包括:至少一个可见光像素(331、332、333),所述可见光像素在对可见光敏感的衬底中具有至少一个区域(341、342、343);红外IR像素,所述IR像素在对IR光敏感的所述衬底中具有区域(350),对IR光敏感的所述区域位于对可见光敏感的衬底中的所述至少一个区域之下;电荷累积区域(325),用于积累在对IR敏感的所述区域中生成的电荷;在所述电荷累积区域与所述至少一个可见光敏感像素之间的至少一个阱(375),所述至少一个阱提供所述电荷累积区域与所述至少一个可见光敏感像素之间的电气隔离;以及电极(354),所述电极位于所述电荷累积区域之上,用于提供在所述电荷累积区域中生成势阱的电压,以积累在对IR光敏感的所述区域中生成的所述电荷。
地址 美国华盛顿州