一种单室多极型PECVD反应室

摘要

本发明提供了一种单室多极型PECVD反应室，包括真空腔室，所述真空腔室外接真空抽气系统及真空检测系统，内部设置有一系列交错排列的接地电极板、高频电极板以及放置基片的基片架；为了保证膜层质量，真空腔室内设置有反应气体均布装置及基片加热器，反应气体种类由镀膜工艺决定。本发明采用多电极结构，有效提高了PECVD镀膜效率，并充分考虑了影响PECVD成膜质量的各种因素。此外，采用一体化设计将基片架、布气系统分别集成在电极板上，在满足PECVD镀膜工艺要求的同时又大大简化了其反应腔室结构。

主权项

一种单室多极型PECVD反应室，其特征在于，包括真空腔室，所述真空腔室外接真空抽气系统及真空检测系统，内部设置有一系列交错排列的接地电极板、高频电极板以及放置基片的基片架：为了保证膜层质量，真空腔室内设置有反应气体均布装置及基片加热器，反应气体种类由镀膜工艺决定。