| 发明名称 | 用于晶体管装置的改良应力记忆技术 | ||
| 摘要 | 本发明揭示用于晶体管装置的改良应力记忆技术,其中一种例示性的方法包含，除其它外，执行源极/漏极延伸离子植入以形成掺杂的延伸植入区域于装置的源极/漏极区域内、以VII族材料(例如，氟)执行离子植入工艺于该源极/漏极区域上、在执行该VII族材料离子植入工艺之后，形成覆盖材料层于该源极/漏极区域的上方，以及在该覆盖材料层就定位时，执行退火工艺以便形成堆迭缺陷于该源极/漏极区域内。 | ||
| 申请公布号 | CN105280501A | 申请公布日期 | 2016.01.27 |
| 申请号 | CN201510329397.3 | 申请日期 | 2015.06.15 |
| 申请人 | 格罗方德半导体公司 | 发明人 | J·M·范梅尔;徐芹;I·弗瑞恩 |
| 分类号 | H01L21/336(2006.01)I;H01L21/265(2006.01)I;H01L29/08(2006.01)I;H01L29/32(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/336(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京戈程知识产权代理有限公司 11314 | 代理人 | 程伟;王锦阳 |
| 主权项 | 一种形成包括栅极结构及多个源极/漏极区域的晶体管装置的方法，该方法包括：以掺杂材料执行源极/漏极延伸离子植入工艺，藉以形成掺杂的延伸植入区域于该源极/漏极区域内；以VII族材料执行VII族材料离子植入工艺于该源极/漏极区域上；在执行该VII族材料离子植入工艺后，形成覆盖材料层于该源极/漏极区域上方；以及在该覆盖材料层就定位时，执行退火工艺，以便形成堆迭缺陷于该源极/漏极区域内。 | ||
| 地址 | 英属开曼群岛大开曼岛 | ||