半导体器件及其制造方法

摘要

本发明提供了一种半导体器件，包括：衬底，衬底具有第一半导体材料；第一有源区堆叠，位于衬底之上，包括第二半导体层和其上的第三半导体层，以及空腔，空腔位于第一有源区堆叠的第二半导体层的端部、第三半导体层与衬底之间；第二有源区堆叠，位于衬底之上，包括第二半导体层和其上的第三半导体层；隔离结构，位于第一和第二有源区堆叠两侧的衬底上；第一器件和第二器件，分别位于第一有源区堆叠和第二有源区堆叠之上，第一器件的源漏区位于空腔之上。本发明器件具有低成本、漏电小、功耗低、速度快、工艺较为简单且集成度高的特点，消除了浮体效应和自热效应。空腔处较低的介电常数，使得其可承受较高的电压，易于同传统的器件及工艺集成。

主权项

一种半导体器件，其特征在于，包括：衬底，衬底具有第一半导体材料；第一有源区堆叠，位于衬底之上，包括第二半导体层和其上的第三半导体层，以及空腔，空腔位于第一有源区堆叠的第二半导体层的端部、第三半导体层与衬底之间；第二有源区堆叠，位于衬底之上，包括第二半导体层和其上的第三半导体层；隔离结构，位于第一和第二有源区堆叠两侧的衬底上；第一器件和第二器件，分别位于第一有源区堆叠和第二有源区堆叠之上，第一器件的源漏区位于空腔之上。