| 发明名称 | 分割薄半导体衬底的方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开一种使用激光能量分割多个集成器件的方法，该多个集成器件包含在半导体衬底中，该方法包含有以下步骤：将第一激光束投射在沿着衬底分布的切割线上，以烧蚀衬底沿着待分割的切割线分布的局部，该被烧蚀的衬底的局部相邻于已被分割的衬底的切割线处形成有重塑材料；以及将第二激光束投射在衬底相邻于切割线的另一个局部，以对相邻于切割线所形成的重塑材料进行热处理。 | ||
| 申请公布号 | CN105269146A | 申请公布日期 | 2016.01.27 |
| 申请号 | CN201510408614.8 | 申请日期 | 2015.07.13 |
| 申请人 | 先进科技新加坡有限公司 | 发明人 | 范·德·斯塔姆·卡雷尔·梅科尔·理查德;克尼佩斯·圭多·马蒂纳斯·亨里克斯;米勒·马克·克里斯蒂安;贝茨·于尔根·罗兰 |
| 分类号 | B23K26/06(2014.01)I;B23K26/38(2014.01)I;B23K26/402(2014.01)I;B23K26/064(2014.01)I;B23K101/40(2006.01)N | 主分类号 | B23K26/06(2014.01)I |
| 代理机构 | 北京申翔知识产权代理有限公司 11214 | 代理人 | 周春发 |
| 主权项 | 一种使用激光能量分割多个集成器件的方法，该多个集成器件包含在半导体衬底中，该方法包含有以下步骤：将第一激光束投射在沿着衬底分布的切割线上，以烧蚀衬底沿着待分割的切割线分布的局部，该被烧蚀的衬底的局部相邻于已被分割的衬底的切割线处形成有重塑材料；以及将第二激光束投射在衬底相邻于切割线的另一个局部，以对相邻于切割线所形成的重塑材料进行热处理。 | ||
| 地址 | 新加坡2义顺7道 | ||