发明名称 一种制备反应烧结碳化硅含碳多孔素坯的水基流延方法
摘要 本发明涉及一种制备反应烧结碳化硅含碳多孔素坯的水基流延方法,包括以下步骤:(1)将作为陶瓷粉体的碳化硅粉体与炭黑、分散剂、粘结剂、塑性剂按一定比例在水中分散均匀,球磨后得到陶瓷浆料;(2)将所得的陶瓷浆料经过真空消泡后流延成型成流延膜;(3)将所得的流延膜干燥、叠层并放入模具,加压成型后脱模,得到流延膜素坯;(4)将所得的流延膜素坯于一定温度保温脱粘得到孔径分布均匀的含碳多孔素坯。本发明用水作为流延工艺唯一溶剂,不仅成本低廉,并且无毒无害,环境友好。
申请公布号 CN105272263A 申请公布日期 2016.01.27
申请号 CN201510649835.4 申请日期 2015.10.09
申请人 中国科学院上海硅酸盐研究所 发明人 刘学建;宋盛星;朱云洲;姚秀敏;殷杰;李晓光;陈忠明;黄政仁
分类号 C04B35/565(2006.01)I;C04B38/00(2006.01)I 主分类号 C04B35/565(2006.01)I
代理机构 上海瀚桥专利代理事务所(普通合伙) 31261 代理人 曹芳玲;郑优丽
主权项 一种适用于反应烧结碳化硅含碳多孔素坯的水基流延方法,其特征在于,包括以下步骤:(1)将作为陶瓷粉体的碳化硅粉体与炭黑、分散剂、粘结剂、塑性剂按一定比例在水中分散均匀,球磨后得到陶瓷浆料;(2)将所得的陶瓷浆料经过真空消泡后流延成型成流延膜;(3)将所得的流延膜干燥、叠层并放入模具,加压成型后脱模,得到流延膜素坯;(4)将所得的流延膜素坯于一定温度保温脱粘得到孔径分布均匀的含碳多孔素坯。
地址 200050 上海市长宁区定西路1295号