| 发明名称 | 晶界层半导体陶瓷片氧化剂涂覆料及其制备方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供一种晶界层半导体陶瓷片氧化剂涂覆料及其制备方法，涂覆料组分包括：Cu<sub>2</sub>O：3～9mol％；B<sub>2</sub>O<sub>3</sub>：20～25mol％；SiO<sub>2</sub>：48～60mol％；MnO<sub>2</sub>：1～4mol％；La<sub>2</sub>O<sub>3</sub>：15～20mol％，涂覆料浆料通过采用溶胶凝胶法制备的超细粉体添加增塑剂和消泡剂后在控制PH值的前提下进行球磨制得，本发明涂覆料避免使用含Pb的掺杂剂，制得的半导体陶瓷片介电常数εr为26000～35000，损耗tgδ值为0.4％～1.0％，电容温度变化率△C/C(％)(-55℃～125℃)在±15％以内，该涂覆料具有均匀细小的颗粒度，制备方法简便，工艺容易控制，对晶界层半导体陶瓷片性能具有决定性的作用。 | ||
| 申请公布号 | CN105272362A | 申请公布日期 | 2016.01.27 |
| 申请号 | CN201510760933.5 | 申请日期 | 2015.11.10 |
| 申请人 | 电子科技大学 | 发明人 | 钟朝位;陶煜;唐斌 |
| 分类号 | C04B41/50(2006.01)I;C04B41/85(2006.01)I | 主分类号 | C04B41/50(2006.01)I |
| 代理机构 | 成都点睛专利代理事务所(普通合伙) 51232 | 代理人 | 敖欢;葛启函 |
| 主权项 | 一种晶界层半导体陶瓷片氧化剂涂覆料，其特征在于，按摩尔百分比计，所述涂覆料的组分包括：Cu<sub>2</sub>O：3～9mol％；B<sub>2</sub>O<sub>3</sub>：20～25mol％；SiO<sub>2</sub>：48～60mol％；MnO<sub>2</sub>：1～4mol％；La<sub>2</sub>O<sub>3</sub>：15～20mol％。 | ||
| 地址 | 611731 四川省成都市高新区（西区）西源大道2006号 | ||