| 摘要 |
3차원 구조의 비휘발성 메모리 장치의 제조 방법이 제공된다. 비휘발성 메모리 장치의 제조 방법은 반도체 기판 상에, 서로 다른 식각율을 갖는 제 1 및 제 2 절연막들이 적어도 2층 이상 번갈아 적층된 스택 구조물을 형성하고, 제 1 및 제 2 절연막들을 관통하여, 반도체 기판과 연결된 활성 기둥들을 형성하고, 활성 기둥들 사이에 스택 구조물을 관통하는 트렌치들을 형성하여, 라인형 스택 구조물들을 형성하고, 서로 인접한 라인형 스택 구조물들에 걸쳐, 라인형 스택 구조물들의 상면들과 접촉하는 수평 지지대들을 형성하고, 제 2 절연막들을 제거하여, 제 1 절연막들 사이에 개구부들을 형성하고, 개구부들 내에 국소적으로 도전 패턴들을 형성하는 것을 포함한다. |
