| 发明名称 | X射线管的低偏置mA调制 | ||
| 摘要 | 提供分段式热离子发射体(68)。该分段式热离子发射体(68)除其他特征外还具有大致上跨越该分段式热离子发射体(68)的整个长度并且大致上互相平行排列的多个片段(80、96、98)。在一个实施例中，该分段式热离子发射体(68)可允许在小于大约2kV的电压的X射线管(58)的毫安调制。 | ||
| 申请公布号 | CN102222593B | 申请公布日期 | 2016.01.27 |
| 申请号 | CN201110042140.1 | 申请日期 | 2011.02.14 |
| 申请人 | 通用电气公司 | 发明人 | S·莱迈特雷 |
| 分类号 | H01J35/06(2006.01)I;H01J35/24(2006.01)I | 主分类号 | H01J35/06(2006.01)I |
| 代理机构 | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人 | 朱海煜;王忠忠 |
| 主权项 | 一种分段式热离子发射体，其包括：多个发射体片段，其跨越所述分段式热离子发射体的长度并且互相平行排列；具有所述多个发射体片段的表面；其中多个分段电极成对设置在所述表面上以形成每个发射体片段，并且每对配置成单独调制每个发射体片段。 | ||
| 地址 | 美国纽约州 | ||